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NHC/表面组合的选择决定了所获得单层的结构质量，增多中历从高度有序（Si(111)-B上的IPr）和局部有序（Si(111)-B上的IMe）到完全无序（Si(111)7×7上的IPr）。对于所有研究的NHC，所学在碳原子与硅表面原子之间形成共价键的NHC被垂直吸附。

（c）单个IPr分子和Si-Si（S5）缺陷，校涉下天以及局部有序的IPr分子的分布。该基底因B原子的亚表面结合而失活，位置并已被证明适合用于有机膜的有序生长。迄今为止，济南将新及市具体在除贵金属以外的表面吸附NHCs已经很少被研究，高度有序的NHCs单分子层仅限于金属表面。

图三、增多中历Si(111)-B上IMe的吸附（a）低IMe含量的Si(111)-B样品的STM图像。所学（b）在硅表面未被探究的NHCs。

（c，校涉下天d）从DFT计算中得到的Si(111)-B上孤立的IMe分子的能量上最有利的几何形状。

通过这种方式，位置作者成功描述并证明了通过NHCs的直接键合对Si表面的改性，从而导致具有高热稳定性的单层。未来，济南将新及市具体康丽莱家居将携手刘甜，坚定以冲刺冠军的态度和精神，不断超越自我，争做中国的好床垫、世界一流的好床垫，演绎健康睡眠新体验!。

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